MTB08N04J3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTB08N04J3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 193 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0054 Ohm

Encapsulados: TO-252

 Búsqueda de reemplazo de MTB08N04J3 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MTB08N04J3 datasheet

 ..1. Size:363K  cystek
 mtb08n04j3.pdf pdf_icon

MTB08N04J3

Spec. No. C892J3 Issued Date 2014.05.29 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 40V MTB08N04J3 ID @VGS=10V 60A RDS(ON)@VGS=10V, ID=15A 5.4m (typ) RDS(ON)@VGS=5V, ID=10A 9.0m (typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent C

 9.1. Size:371K  cystek
 mtb080n15j3.pdf pdf_icon

MTB08N04J3

Spec. No. C987J3 Issued Date 2015.02.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTB080N15J3 ID @VGS=10V, TC=25 C 18A RDS(ON)@VGS=10V, ID=10A 82.3m (typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=10A 85.8m (typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free pack

Otros transistores... MTB060N15J3, MTB06N03E3, MTB06N03H8, MTB06N03I3, MTB06N03J3, MTB06N03Q8, MTB06N03V8, MTB070N11J3, IRFB4227, MTB090N06I3, MTB090N06N3, MTB09N03H8, MTB09N03V8, MTB09N04H8, MTB09N06J3, MTB09N06Q8, MTB09P03J3