MTB08N04J3 Todos los transistores

 

MTB08N04J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTB08N04J3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 193 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0054 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

MTB08N04J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:363K  cystek
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MTB08N04J3

Spec. No. : C892J3 Issued Date : 2014.05.29 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 40VMTB08N04J3 ID @VGS=10V 60ARDS(ON)@VGS=10V, ID=15A 5.4m(typ) RDS(ON)@VGS=5V, ID=10A 9.0m(typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent C

 9.1. Size:371K  cystek
 mtb080n15j3.pdf pdf_icon

MTB08N04J3

Spec. No. : C987J3 Issued Date : 2015.02.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VMTB080N15J3 ID @VGS=10V, TC=25C 18A RDS(ON)@VGS=10V, ID=10A 82.3m(typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=10A 85.8m(typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free pack

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRFN440 | ASDM3400 | KF5N53D | PE506BA | STD5N52K3

 

 
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