FSF150D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FSF150D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
Paquete / Cubierta: TO254AA
- Selección de transistores por parámetros
FSF150D Datasheet (PDF)
fsf150.pdf

FSF150D, FSF150R25A, 100V, 0.070 Ohm, Rad Hard,SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETsJune 1998Features Description 25A, 100V, rDS(ON) = 0.070 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD
Otros transistores... FRX130H3 , FRX130H4 , FRX130R1 , FRX130R2 , FRX130R3 , FRX130R4 , FSF055D , FSF055R , IRF1405 , FSF150R , FSF250D , FSF250R , FSF254D , FSF254R , FSF450D , FSF450R , FSF9150D .
History: AOT15S60L | KP737A | ES6U2 | SSF7504A7 | IRF8852 | GSM9498 | 6N70KL-TND-R
History: AOT15S60L | KP737A | ES6U2 | SSF7504A7 | IRF8852 | GSM9498 | 6N70KL-TND-R



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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