FSF150D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FSF150D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
Тип корпуса: TO254AA
Аналог (замена) для FSF150D
FSF150D Datasheet (PDF)
fsf150.pdf

FSF150D, FSF150R25A, 100V, 0.070 Ohm, Rad Hard,SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETsJune 1998Features Description 25A, 100V, rDS(ON) = 0.070 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD
Другие MOSFET... FRX130H3 , FRX130H4 , FRX130R1 , FRX130R2 , FRX130R3 , FRX130R4 , FSF055D , FSF055R , AON7403 , FSF150R , FSF250D , FSF250R , FSF254D , FSF254R , FSF450D , FSF450R , FSF9150D .
History: RQ6E035AT | RRQ020P03 | IXTJ4N150 | WFP740 | BUK7L06-34ARC | SVG108R5NAMQ | HY3312PM
History: RQ6E035AT | RRQ020P03 | IXTJ4N150 | WFP740 | BUK7L06-34ARC | SVG108R5NAMQ | HY3312PM



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2n3565 | irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor | 2n5087 | ksa1381 | bc546 | 2sc458