MTB110P10E3 Todos los transistores

 

MTB110P10E3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTB110P10E3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 104 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
     - Selección de transistores por parámetros

 

MTB110P10E3 Datasheet (PDF)

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MTB110P10E3

Spec. No. : C968E3 Issued Date : 2014.08.04 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/8 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100V MTB110P10E3 ID @ VGS=-10V -23A RDSON(TYP) @ VGS=-10V, ID=-11A 80m RDSON(TYP) @ VGS=-4.5V, ID=-8A 93m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching

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MTB110P10E3

Spec. No. : C968J3 Issued Date : 2014.08.07 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100V MTB110P10J3 ID -14A RDS(ON)@VGS=-10V, ID=-4.5A 79m(typ) RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-4A 90m(typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & halogen-free package

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MTB110P10E3

Spec. No. : C968L3 Issued Date : 2014.12.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100VMTB110P10L3 ID@VGS=-10V, TA=25C -3.8A ID@VGS=-10V, TC=25C -10.8A 85m (typ.)RDSON@VGS=-10V, ID=-4.5A Features 96m (typ.)RDSON@VGS=-4.5V, ID=-4A Simple Drive Requirement Low On-resistance F

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MTB110P10E3

Spec. No. : C968F3 Issued Date : 2014.08.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100V MTB110P10F3 ID @ VGS=-10V -23A RDSON(TYP) @ VGS=-10V, ID=-11A 80m RDSON(TYP) @ VGS=-4.5V, ID=-8A 93m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching

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History: RU7582S | GSM2341 | RRL025P03 | SVGP159R3NL5TR | 15N10B | BSS123A | 2SK2715

 

 
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