MTB110P10E3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTB110P10E3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для MTB110P10E3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB110P10E3 даташит

 ..1. Size:518K  cystek
 mtb110p10e3.pdf pdf_icon

MTB110P10E3

Spec. No. C968E3 Issued Date 2014.08.04 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100V MTB110P10E3 ID @ VGS=-10V -23A RDSON(TYP) @ VGS=-10V, ID=-11A 80m RDSON(TYP) @ VGS=-4.5V, ID=-8A 93m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching

 5.1. Size:595K  cystek
 mtb110p10j3.pdf pdf_icon

MTB110P10E3

Spec. No. C968J3 Issued Date 2014.08.07 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100V MTB110P10J3 ID -14A RDS(ON)@VGS=-10V, ID=-4.5A 79m (typ) RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-4A 90m (typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & halogen-free package

 5.2. Size:345K  cystek
 mtb110p10l3.pdf pdf_icon

MTB110P10E3

Spec. No. C968L3 Issued Date 2014.12.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100V MTB110P10L3 ID@VGS=-10V, TA=25 C -3.8A ID@VGS=-10V, TC=25 C -10.8A 85m (typ.) RDSON@VGS=-10V, ID=-4.5A Features 96m (typ.) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-4A Simple Drive Requirement Low On-resistance F

 5.3. Size:525K  cystek
 mtb110p10f3.pdf pdf_icon

MTB110P10E3

Spec. No. C968F3 Issued Date 2014.08.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100V MTB110P10F3 ID @ VGS=-10V -23A RDSON(TYP) @ VGS=-10V, ID=-11A 80m RDSON(TYP) @ VGS=-4.5V, ID=-8A 93m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTB090N06I3, MTB090N06N3, MTB09N03H8, MTB09N03V8, MTB09N04H8, MTB09N06J3, MTB09N06Q8, MTB09P03J3, IRFP250N, MTB110P10F3, MTB110P10J3, MTB11N03Q8, MTB12N03J3, MTB12N03Q8, MTB12N04J3, MTB12P04J3, MTB12P06J3