MTB14P03Q8 Todos los transistores

 

MTB14P03Q8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTB14P03Q8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1612 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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MTB14P03Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:171K  cystek
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MTB14P03Q8

Spec. No. : C452Q8 Issued Date : 2009.05.13 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -30VMTB14P03Q8 ID -12ARDSON(max) 14m Description The MTB14P03Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost

 9.1. Size:351K  cystek
 mtb14a03v8.pdf pdf_icon

MTB14P03Q8

Spec. No. : C397V8 Issued Date : 2013.08.16 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.09.26 Page No. : 1/9 Dual N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30VMTB14A03V8ID 8.5A11.2m VGS=10V, ID=6A RDSON(TYP) 16m VGS=4.5V, ID=4A Description The MTB14A03V8 consists of two N-channel enhancement-mode MOSFETs in a DFN3 3 package, providing the desi

Otros transistores... MTB11N03Q8 , MTB12N03J3 , MTB12N03Q8 , MTB12N04J3 , MTB12P04J3 , MTB12P06J3 , MTB13N03Q8 , MTB14A03V8 , SPP20N60C3 , MTB15P04J3 , MTB16P04J3 , MTB17A03Q8 , MTB17A03V8 , MTB17N03Q8 , MTB1D7N03ATH8 , MTB1D7N03E3 , MTB1K6N06KS6R .

History: SSU80R850S

 

 
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