MTB14P03Q8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTB14P03Q8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1612 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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MTB14P03Q8 datasheet

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MTB14P03Q8

Spec. No. C452Q8 Issued Date 2009.05.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -30V MTB14P03Q8 ID -12A RDSON(max) 14m Description The MTB14P03Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost

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MTB14P03Q8

Spec. No. C397V8 Issued Date 2013.08.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.09.26 Page No. 1/9 Dual N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30V MTB14A03V8 ID 8.5A 11.2m VGS=10V, ID=6A RDSON(TYP) 16m VGS=4.5V, ID=4A Description The MTB14A03V8 consists of two N-channel enhancement-mode MOSFETs in a DFN3 3 package, providing the desi

Otros transistores... MTB11N03Q8, MTB12N03J3, MTB12N03Q8, MTB12N04J3, MTB12P04J3, MTB12P06J3, MTB13N03Q8, MTB14A03V8, K3569, MTB15P04J3, MTB16P04J3, MTB17A03Q8, MTB17A03V8, MTB17N03Q8, MTB1D7N03ATH8, MTB1D7N03E3, MTB1K6N06KS6R