MTB17A03Q8 Todos los transistores

 

MTB17A03Q8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTB17A03Q8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 19 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 124 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0086 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

MTB17A03Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:313K  cystek
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MTB17A03Q8

Spec. No. : C729Q8 Issued Date : 2009.07.01 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.01.20 Page No. : 1/ 9 Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30VMTB17A03Q8 ID 10A8.6m VGS=10V, ID=10A RDSON(TYP) 12.6mVGS=4.5V, ID=6A Description The MTB17A03Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra l

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 mtb17a03v8.pdf pdf_icon

MTB17A03Q8

Spec. No. : C396V8 Issued Date : 2013.08.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.08.14 Page No. : 1/9 Dual N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30VMTB17A03V8ID 7A16m VGS=10V, ID=6A RDSON(TYP) 25m VGS=4.5V, ID=4A Description The MTB17A03V8 consists of two N-channel enhancement-mode MOSFETs in a DFN3 3 package, providing the designer

 9.1. Size:320K  cystek
 mtb17n03q8.pdf pdf_icon

MTB17A03Q8

Spec. No. : C729Q8 Issued Date : 2009.09.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.10.03 Page No. : 1/8 N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30VMTB17N03Q8 RDSON(MAX) 15mID 10ADescription The MTB17N03Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost effectiveness. The

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: JMTG040N03A | 2N6789 | 2N5951 | NCE1013E

 

 
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