Справочник MOSFET. MTB17A03Q8

 

MTB17A03Q8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTB17A03Q8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 19 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 124 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0086 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB17A03Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:313K  cystek
mtb17a03q8.pdfpdf_icon

MTB17A03Q8

Spec. No. : C729Q8 Issued Date : 2009.07.01 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.01.20 Page No. : 1/ 9 Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30VMTB17A03Q8 ID 10A8.6m VGS=10V, ID=10A RDSON(TYP) 12.6mVGS=4.5V, ID=6A Description The MTB17A03Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra l

 6.1. Size:350K  cystek
mtb17a03v8.pdfpdf_icon

MTB17A03Q8

Spec. No. : C396V8 Issued Date : 2013.08.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.08.14 Page No. : 1/9 Dual N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30VMTB17A03V8ID 7A16m VGS=10V, ID=6A RDSON(TYP) 25m VGS=4.5V, ID=4A Description The MTB17A03V8 consists of two N-channel enhancement-mode MOSFETs in a DFN3 3 package, providing the designer

 9.1. Size:320K  cystek
mtb17n03q8.pdfpdf_icon

MTB17A03Q8

Spec. No. : C729Q8 Issued Date : 2009.09.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.10.03 Page No. : 1/8 N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30VMTB17N03Q8 RDSON(MAX) 15mID 10ADescription The MTB17N03Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost effectiveness. The

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: HMS11N70I | IRF540ZSPBF | AOTS32338C | AP9565BGH-HF | AM4492N

 

 
Back to Top

 


 
.