MTB4D0N03ATV8 Todos los transistores

 

MTB4D0N03ATV8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTB4D0N03ATV8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 21 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 299 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0047 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
 

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MTB4D0N03ATV8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:635K  cystek
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MTB4D0N03ATV8

Spec. No. : C441V8 Issued Date : 2014.05.22 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB4D0N03ATV8 BVDSS 30V ID @ VGS=10V 15A VGS=10V, ID=15A 4.7m RDSON(TYP) Features VGS=4.5V, ID=12A 6.7m Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic dv/dt

 3.1. Size:419K  cystek
 mtb4d0n03ath8.pdf pdf_icon

MTB4D0N03ATV8

Spec. No. : C441H8 Issued Date : 2014.05.26 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB4D0N03ATH8BVDSS 30VID @VGS=10V 66ARDS(ON)@VGS=10V, ID=30A 5.3 m(typ)Features RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=20A 7.5 m(typ) Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic

Otros transistores... MTB40P04J3 , MTB40P06J3 , MTB40P06Q8 , MTB40P06V8 , MTB44P04J3 , MTB45A06Q8 , MTB45P03Q8 , MTB4D0N03ATH8 , IRF830 , MTB55N03J3 , MTB55N03N3 , MTB55N06Q8 , MTB55N10J3 , MTB55N10Q8 , MTB600N03N3 , MTB60A06Q8 , MTB60B06Q8 .

History: MTBA5C10AQ8 | NCEP058N85 | RJK6024DP3-A0

 

 
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