MTB4D0N03ATV8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTB4D0N03ATV8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 21 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 299 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0047 Ohm

Encapsulados: DFN3X3

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MTB4D0N03ATV8 datasheet

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MTB4D0N03ATV8

Spec. No. C441V8 Issued Date 2014.05.22 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB4D0N03ATV8 BVDSS 30V ID @ VGS=10V 15A VGS=10V, ID=15A 4.7m RDSON(TYP) Features VGS=4.5V, ID=12A 6.7m Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic dv/dt

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MTB4D0N03ATV8

Spec. No. C441H8 Issued Date 2014.05.26 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB4D0N03ATH8 BVDSS 30V ID @VGS=10V 66A RDS(ON)@VGS=10V, ID=30A 5.3 m (typ) Features RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=20A 7.5 m (typ) Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic

Otros transistores... MTB40P04J3, MTB40P06J3, MTB40P06Q8, MTB40P06V8, MTB44P04J3, MTB45A06Q8, MTB45P03Q8, MTB4D0N03ATH8, 2N60, MTB55N03J3, MTB55N03N3, MTB55N06Q8, MTB55N10J3, MTB55N10Q8, MTB600N03N3, MTB60A06Q8, MTB60B06Q8