Справочник MOSFET. MTB4D0N03ATV8

 

MTB4D0N03ATV8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTB4D0N03ATV8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 299 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0047 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для MTB4D0N03ATV8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB4D0N03ATV8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:635K  cystek
 mtb4d0n03atv8.pdf pdf_icon

MTB4D0N03ATV8

Spec. No. : C441V8 Issued Date : 2014.05.22 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB4D0N03ATV8 BVDSS 30V ID @ VGS=10V 15A VGS=10V, ID=15A 4.7m RDSON(TYP) Features VGS=4.5V, ID=12A 6.7m Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic dv/dt

 3.1. Size:419K  cystek
 mtb4d0n03ath8.pdf pdf_icon

MTB4D0N03ATV8

Spec. No. : C441H8 Issued Date : 2014.05.26 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB4D0N03ATH8BVDSS 30VID @VGS=10V 66ARDS(ON)@VGS=10V, ID=30A 5.3 m(typ)Features RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=20A 7.5 m(typ) Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic

Другие MOSFET... MTB40P04J3 , MTB40P06J3 , MTB40P06Q8 , MTB40P06V8 , MTB44P04J3 , MTB45A06Q8 , MTB45P03Q8 , MTB4D0N03ATH8 , IRF830 , MTB55N03J3 , MTB55N03N3 , MTB55N06Q8 , MTB55N10J3 , MTB55N10Q8 , MTB600N03N3 , MTB60A06Q8 , MTB60B06Q8 .

 

 
Back to Top

 


 
.