MTB4D0N03ATV8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTB4D0N03ATV8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 299 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0047 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для MTB4D0N03ATV8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB4D0N03ATV8 даташит

 ..1. Size:635K  cystek
 mtb4d0n03atv8.pdf pdf_icon

MTB4D0N03ATV8

Spec. No. C441V8 Issued Date 2014.05.22 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB4D0N03ATV8 BVDSS 30V ID @ VGS=10V 15A VGS=10V, ID=15A 4.7m RDSON(TYP) Features VGS=4.5V, ID=12A 6.7m Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic dv/dt

 3.1. Size:419K  cystek
 mtb4d0n03ath8.pdf pdf_icon

MTB4D0N03ATV8

Spec. No. C441H8 Issued Date 2014.05.26 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB4D0N03ATH8 BVDSS 30V ID @VGS=10V 66A RDS(ON)@VGS=10V, ID=30A 5.3 m (typ) Features RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=20A 7.5 m (typ) Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic

Другие IGBT... MTB40P04J3, MTB40P06J3, MTB40P06Q8, MTB40P06V8, MTB44P04J3, MTB45A06Q8, MTB45P03Q8, MTB4D0N03ATH8, 2N60, MTB55N03J3, MTB55N03N3, MTB55N06Q8, MTB55N10J3, MTB55N10Q8, MTB600N03N3, MTB60A06Q8, MTB60B06Q8