Справочник MOSFET. MTB4D0N03ATV8

 

MTB4D0N03ATV8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTB4D0N03ATV8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 299 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0047 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3

 Аналог (замена) для MTB4D0N03ATV8

 

 

MTB4D0N03ATV8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:635K  cystek
 mtb4d0n03atv8.pdf

MTB4D0N03ATV8 MTB4D0N03ATV8

Spec. No. : C441V8 Issued Date : 2014.05.22 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB4D0N03ATV8 BVDSS 30V ID @ VGS=10V 15A VGS=10V, ID=15A 4.7m RDSON(TYP) Features VGS=4.5V, ID=12A 6.7m Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic dv/dt

 3.1. Size:419K  cystek
 mtb4d0n03ath8.pdf

MTB4D0N03ATV8 MTB4D0N03ATV8

Spec. No. : C441H8 Issued Date : 2014.05.26 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB4D0N03ATH8BVDSS 30VID @VGS=10V 66ARDS(ON)@VGS=10V, ID=30A 5.3 m(typ)Features RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=20A 7.5 m(typ) Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top