MTB55N03N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTB55N03N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTB55N03N3

MTB55N03N3 Datasheet (PDF)

..1. Size:308K cystek
mtb55n03n3.pdf

Spec. No. : C723N3 Issued Date : 2009.06.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.10.08 Page No. : 1/8 30V N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30VMTB55N03N3 ID 4.8ARDSON(TYP)@VGS=10V, ID=3.5A 35m RDSON(TYP)@VGS=4.5V, ID=2A 58m Features Lower gate charge Pb-free lead plating and Halogen-free package Equivalent Circuit Outline MTB5

6.1. Size:279K cystek
mtb55n03j3.pdf

Spec. No. : C723J3 Issued Date : 2012.05.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30VMTB55N03J3 ID 24ARDS(ON)@VGS=10V, ID=12A 34m(typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=6A 58m(typ) Features Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic Pb-free lead

7.1. Size:151K motorola
mtb55n06z.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB55N06Z/DAdvance InformationMTB55N06ZTMOS E-FET.High Energy Power FETD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 55 AMPERES60 VOLTSThis advanced high voltage TMOS EFET is designed toRDS(on) = 18 mwithstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently.

7.2. Size:146K motorola
mtb55n06zrev1.pdf

7.3. Size:318K cystek
mtb55n06q8.pdf

Spec. No. : C746Q8 Issued Date : 2009.10.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.20 Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS 60VMTB55N06Q8ID 8ARDSON@VGS=10V, ID=6A 35m(typ)RDSON@VGS=5V, ID=5A 38m(typ)Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic dv/dt rating

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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