MTB6D0N03ATV8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTB6D0N03ATV8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 21 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 141 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0067 Ohm

Encapsulados: DFN3X3

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MTB6D0N03ATV8 datasheet

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MTB6D0N03ATV8

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MTB6D0N03ATV8

Spec. No. C709H8 Issued Date 2014.04.30 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB6D0N03ATH8 BVDSS 30V ID 56A RDS(ON)@VGS=10V, ID=25A 6.8 m (typ) Features RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=20A 10.4 m (typ) Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic dv/d

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MTB6D0N03ATV8

Spec. No. C709H8 Issued Date 2014.03.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.04.30 Page No. 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB6D0N03AH8 BVDSS 30V ID 56A RDS(ON)@VGS=10V, ID=25A 6.8 m (typ) Features RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=20A 10.4 m (typ) Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dy

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MTB6D0N03ATV8

Spec. No. CA00H8 Issued Date 2015.02.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB6D0N03BH8 BVDSS 30V ID 56A RDS(ON)@VGS=10V, ID=25A 6.4 m (typ) Features RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=20A 10.4 m (typ) Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic dv/dt

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