Справочник MOSFET. MTB6D0N03ATV8

 

MTB6D0N03ATV8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTB6D0N03ATV8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 17 nC
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 141 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0067 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3

 Аналог (замена) для MTB6D0N03ATV8

 

 

MTB6D0N03ATV8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:361K  cystek
 mtb6d0n03atv8.pdf

MTB6D0N03ATV8 MTB6D0N03ATV8

Spec. No. : C709V8 Issued Date : 2013.10.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB6D0N03ATV8BVDSS 30VID 12.5A6.7m VGS=10V, ID=12A RDSON(TYP) Features 9.7m VGS=4.5V, ID=8A Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic dv/dt rating

 3.1. Size:424K  cystek
 mtb6d0n03ath8.pdf

MTB6D0N03ATV8 MTB6D0N03ATV8

Spec. No. : C709H8 Issued Date : 2014.04.30 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB6D0N03ATH8BVDSS 30VID 56ARDS(ON)@VGS=10V, ID=25A 6.8 m(typ) Features RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=20A 10.4 m(typ) Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic dv/d

 4.1. Size:425K  cystek
 mtb6d0n03ah8.pdf

MTB6D0N03ATV8 MTB6D0N03ATV8

Spec. No. : C709H8 Issued Date : 2014.03.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2014.04.30 Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB6D0N03AH8BVDSS 30VID 56ARDS(ON)@VGS=10V, ID=25A 6.8 m(typ) Features RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=20A 10.4 m(typ) Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dy

 5.1. Size:425K  cystek
 mtb6d0n03bh8.pdf

MTB6D0N03ATV8 MTB6D0N03ATV8

Spec. No. : CA00H8 Issued Date : 2015.02.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB6D0N03BH8BVDSS 30VID 56ARDS(ON)@VGS=10V, ID=25A 6.4 m(typ) Features RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=20A 10.4 m(typ) Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic dv/dt

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top