Справочник MOSFET. MTB6D0N03ATV8

 

MTB6D0N03ATV8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTB6D0N03ATV8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 141 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0067 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для MTB6D0N03ATV8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB6D0N03ATV8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:361K  cystek
mtb6d0n03atv8.pdfpdf_icon

MTB6D0N03ATV8

Spec. No. : C709V8 Issued Date : 2013.10.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB6D0N03ATV8BVDSS 30VID 12.5A6.7m VGS=10V, ID=12A RDSON(TYP) Features 9.7m VGS=4.5V, ID=8A Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic dv/dt rating

 3.1. Size:424K  cystek
mtb6d0n03ath8.pdfpdf_icon

MTB6D0N03ATV8

Spec. No. : C709H8 Issued Date : 2014.04.30 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB6D0N03ATH8BVDSS 30VID 56ARDS(ON)@VGS=10V, ID=25A 6.8 m(typ) Features RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=20A 10.4 m(typ) Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic dv/d

 4.1. Size:425K  cystek
mtb6d0n03ah8.pdfpdf_icon

MTB6D0N03ATV8

Spec. No. : C709H8 Issued Date : 2014.03.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2014.04.30 Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB6D0N03AH8BVDSS 30VID 56ARDS(ON)@VGS=10V, ID=25A 6.8 m(typ) Features RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=20A 10.4 m(typ) Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dy

 5.1. Size:425K  cystek
mtb6d0n03bh8.pdfpdf_icon

MTB6D0N03ATV8

Spec. No. : CA00H8 Issued Date : 2015.02.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB6D0N03BH8BVDSS 30VID 56ARDS(ON)@VGS=10V, ID=25A 6.4 m(typ) Features RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=20A 10.4 m(typ) Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Dynamic dv/dt

Другие MOSFET... MTB60A06Q8 , MTB60B06Q8 , MTB60N06J3 , MTB60N06L3 , MTB60P06E3 , MTB60P06H8 , MTB6D0N03AH8 , MTB6D0N03ATH8 , EMB04N03H , MTB80N08J3 , MTB90P06J3 , MTB90P06Q8 , MTBA0N10Q8 , MTBA5C10AQ8 , MTBA5C10Q8 , MTBA5N10FP , MTBA5N10J3 .

History: IRFB4310ZGPBF | SPP6507S26RGB | STB80NF03L-04 | HY3810B | IRLU7807ZPBF | NCE1230SP | STB80NF55-06T

 

 
Back to Top

 


 
.