MTB90P06J3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTB90P06J3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 51 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm

Encapsulados: TO-252

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MTB90P06J3 datasheet

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MTB90P06J3

Spec. No. C733J3 Issued Date 2009.07.07 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB90P06J3 BVDSS -60V ID -12A 70 m (typ) RDSON@VGS=-10V, ID=-10A 90 m (typ) RDSON@VGS=-5V, ID=-8A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & halogen-free packa

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MTB90P06J3

Spec. No. C733Q8 Issued Date 2011.03.30 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.03.01 Page No. 1/9 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -60V MTB90P06Q8 ID -5A RDSON@VGS=-10V, ID=-5A 69 m typ. RDSON@VGS=-4.5V, ID=-3A 92 m typ. Description The MTB90P06Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combina

Otros transistores... MTB60N06J3, MTB60N06L3, MTB60P06E3, MTB60P06H8, MTB6D0N03AH8, MTB6D0N03ATH8, MTB6D0N03ATV8, MTB80N08J3, EMB04N03H, MTB90P06Q8, MTBA0N10Q8, MTBA5C10AQ8, MTBA5C10Q8, MTBA5N10FP, MTBA5N10J3, MTBA5N10Q8, MTBA5N10V8