Справочник MOSFET. MTB90P06J3

 

MTB90P06J3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTB90P06J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 16 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для MTB90P06J3

 

 

MTB90P06J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:280K  cystek
 mtb90p06j3.pdf

MTB90P06J3 MTB90P06J3

Spec. No. : C733J3 Issued Date : 2009.07.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB90P06J3 BVDSS -60VID -12A70 m (typ) RDSON@VGS=-10V, ID=-10A 90 m (typ) RDSON@VGS=-5V, ID=-8A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & halogen-free packa

 6.1. Size:338K  cystek
 mtb90p06q8.pdf

MTB90P06J3 MTB90P06J3

Spec. No. : C733Q8 Issued Date : 2011.03.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.03.01 Page No. : 1/9 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -60VMTB90P06Q8 ID -5ARDSON@VGS=-10V, ID=-5A 69 m typ. RDSON@VGS=-4.5V, ID=-3A 92 m typ.Description The MTB90P06Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combina

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top