MTBB0P10L3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTBB0P10L3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.171 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223

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MTBB0P10L3 Datasheet (PDF)

..1. Size:333K cystek
mtbb0p10l3.pdf

Spec. No. : C732L3 Issued Date : 2013.01.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTBB0P10L3 BVDSS -100VID -2.6A171m (typ) RDSON@VGS=-10V, ID=-2A 186 (typ) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-1A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & Halogen-free package Equi

6.1. Size:282K cystek
mtbb0p10j3.pdf

Spec. No. : C732J3 Issued Date : 2009.07.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/9 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100VMTBB0P10J3 ID -16A205m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & Halogen-free package Equivalent Circuit Outline TO-252(DPAK) MTBB0P

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: