MTBB0P10L3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTBB0P10L3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.171 Ohm
Тип корпуса: SOT-223
Аналог (замена) для MTBB0P10L3
MTBB0P10L3 Datasheet (PDF)
mtbb0p10l3.pdf
Spec. No. : C732L3 Issued Date : 2013.01.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTBB0P10L3 BVDSS -100VID -2.6A171m (typ) RDSON@VGS=-10V, ID=-2A 186 (typ) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-1A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & Halogen-free package Equi
mtbb0p10j3.pdf
Spec. No. : C732J3 Issued Date : 2009.07.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/9 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100VMTBB0P10J3 ID -16A205m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & Halogen-free package Equivalent Circuit Outline TO-252(DPAK) MTBB0P
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918