MTBB0P10L3 - аналоги и даташиты транзистора

 

MTBB0P10L3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MTBB0P10L3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.171 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для MTBB0P10L3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTBB0P10L3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:333K  cystek
 mtbb0p10l3.pdf pdf_icon

MTBB0P10L3

Spec. No. : C732L3 Issued Date : 2013.01.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTBB0P10L3 BVDSS -100VID -2.6A171m (typ) RDSON@VGS=-10V, ID=-2A 186 (typ) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-1A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & Halogen-free package Equi

 6.1. Size:282K  cystek
 mtbb0p10j3.pdf pdf_icon

MTBB0P10L3

Spec. No. : C732J3 Issued Date : 2009.07.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/9 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100VMTBB0P10J3 ID -16A205m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & Halogen-free package Equivalent Circuit Outline TO-252(DPAK) MTBB0P

Другие MOSFET... MTBA5C10Q8 , MTBA5N10FP , MTBA5N10J3 , MTBA5N10Q8 , MTBA5N10V8 , MTBA5Q10Q8 , MTBA6C12J4 , MTBB0P10J3 , 20N60 , MTBB5B10Q8 , MTBB5N10L3 , MTBC7N10N3 , MTC1016S6R , MTC2402Q8 , MTC2590V8 , MTC2804Q8 , MTC3585G6 .

History: SVS65R380FJD4 | AM2362N | STB11NM60FD | MTA090N02KC3 | KIA65R700 | STB11NM60 | CHM21A3PAGP

 

 
Back to Top

 


 
.