MTBB5B10Q8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTBB5B10Q8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 365 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.21 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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MTBB5B10Q8 datasheet

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MTBB5B10Q8

Spec. No. C590Q8 Issued Date 2010.10.08 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.10.03 Page No. 1/8 Dual P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100V MTBB5B10Q8 ID -2.5A 250m RDSON(MAX) Description The MTBB5B10Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost e

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MTBB5B10Q8

Spec. No. C593L3 Issued Date 2010.07.07 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.12.09 Page No. 1/8 N -Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS 100V MTBB5N10L3 ID 5A 125m (typ.) RDSON@VGS=10V, ID=2A Features 131m (typ.) RDSON@VGS=4.5V, ID=1A Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & Halogen-free package Equi

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