MTBB5B10Q8 Todos los transistores

 

MTBB5B10Q8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTBB5B10Q8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 365 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.21 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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MTBB5B10Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:356K  cystek
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MTBB5B10Q8

Spec. No. : C590Q8 Issued Date : 2010.10.08 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.10.03 Page No. : 1/8 Dual P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100VMTBB5B10Q8 ID -2.5A 250m RDSON(MAX) Description The MTBB5B10Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost e

 9.1. Size:282K  cystek
 mtbb5n10l3.pdf pdf_icon

MTBB5B10Q8

Spec. No. : C593L3 Issued Date : 2010.07.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.12.09 Page No. : 1/8 N -Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS 100VMTBB5N10L3 ID 5A125m (typ.)RDSON@VGS=10V, ID=2A Features 131m (typ.)RDSON@VGS=4.5V, ID=1A Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & Halogen-free package Equi

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