MTBB5N10L3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTBB5N10L3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 7.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm

Encapsulados: SOT-223

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MTBB5N10L3 datasheet

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MTBB5N10L3

Spec. No. C593L3 Issued Date 2010.07.07 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.12.09 Page No. 1/8 N -Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS 100V MTBB5N10L3 ID 5A 125m (typ.) RDSON@VGS=10V, ID=2A Features 131m (typ.) RDSON@VGS=4.5V, ID=1A Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & Halogen-free package Equi

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MTBB5N10L3

Spec. No. C590Q8 Issued Date 2010.10.08 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.10.03 Page No. 1/8 Dual P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100V MTBB5B10Q8 ID -2.5A 250m RDSON(MAX) Description The MTBB5B10Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost e

Otros transistores... MTBA5N10J3, MTBA5N10Q8, MTBA5N10V8, MTBA5Q10Q8, MTBA6C12J4, MTBB0P10J3, MTBB0P10L3, MTBB5B10Q8, IRF540N, MTBC7N10N3, MTC1016S6R, MTC2402Q8, MTC2590V8, MTC2804Q8, MTC3585G6, MTC3585N6, MTC3586DFA6