Справочник MOSFET. MTBB5N10L3

 

MTBB5N10L3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTBB5N10L3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 7.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTBB5N10L3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:282K  cystek
 mtbb5n10l3.pdf pdf_icon

MTBB5N10L3

Spec. No. : C593L3 Issued Date : 2010.07.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.12.09 Page No. : 1/8 N -Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS 100VMTBB5N10L3 ID 5A125m (typ.)RDSON@VGS=10V, ID=2A Features 131m (typ.)RDSON@VGS=4.5V, ID=1A Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & Halogen-free package Equi

 9.1. Size:356K  cystek
 mtbb5b10q8.pdf pdf_icon

MTBB5N10L3

Spec. No. : C590Q8 Issued Date : 2010.10.08 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.10.03 Page No. : 1/8 Dual P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100VMTBB5B10Q8 ID -2.5A 250m RDSON(MAX) Description The MTBB5B10Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost e

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SM6A12NSFP | DM12N65C | SPD04N60S5 | AP6679GI-HF | NTD4855N-1G | HUF76629D3ST-F085 | FCPF7N60YDTU

 

 
Back to Top

 


 
.