MTBB5N10L3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTBB5N10L3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 7.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для MTBB5N10L3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTBB5N10L3 даташит

 ..1. Size:282K  cystek
 mtbb5n10l3.pdf pdf_icon

MTBB5N10L3

Spec. No. C593L3 Issued Date 2010.07.07 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.12.09 Page No. 1/8 N -Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS 100V MTBB5N10L3 ID 5A 125m (typ.) RDSON@VGS=10V, ID=2A Features 131m (typ.) RDSON@VGS=4.5V, ID=1A Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & Halogen-free package Equi

 9.1. Size:356K  cystek
 mtbb5b10q8.pdf pdf_icon

MTBB5N10L3

Spec. No. C590Q8 Issued Date 2010.10.08 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.10.03 Page No. 1/8 Dual P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100V MTBB5B10Q8 ID -2.5A 250m RDSON(MAX) Description The MTBB5B10Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra low on-resistance and cost e

Другие IGBT... MTBA5N10J3, MTBA5N10Q8, MTBA5N10V8, MTBA5Q10Q8, MTBA6C12J4, MTBB0P10J3, MTBB0P10L3, MTBB5B10Q8, IRF540N, MTBC7N10N3, MTC1016S6R, MTC2402Q8, MTC2590V8, MTC2804Q8, MTC3585G6, MTC3585N6, MTC3586DFA6