MTC8958Q8 Todos los transistores

 

MTC8958Q8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTC8958Q8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7(6) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10(12) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70(64) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018(0.041) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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MTC8958Q8 Datasheet (PDF)

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MTC8958Q8

Spec. No. : C839Q8 Issued Date : 2013.05.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.03.27 Page No. : 1/12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTC8958Q8 BVDSS 30V -30VID 7A -6ARDSON(MAX.) 25m 55m Description The MTC8958Q8 consists of a N-channel and a P-channel enhancement-mode MOSFET in a single SOP-8 package, providing the designer

 7.1. Size:427K  cystek
 mtc8958g6.pdf pdf_icon

MTC8958Q8

Spec. No. : C839G6 Issued Date : 2012.04.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.05.30 Page No. : 1/13 N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N-CH P-CHMTC8958G6 BVDSS 30V -30VID 6A(VGS=10V) -4.5A(VGS=-10 V) 18m(VGS=10V) 41m(VGS=-10V) RDSON(TYP.) 26m(VGS=4.5V) 60m(VGS=-4.5V)Features Simple drive requirement Low gate charge Low

Otros transistores... MTC4503Q8G , MTC4505Q8 , MTC4506J4 , MTC4506Q8 , MTC5806Q8 , MTC8402S6R , MTC8404V8 , MTC8958G6 , AON7408 , MTD06N04Q8 , MTD120C10KJ4 , MTD120C10KQ8 , MTD140P15J3 , MTD30N10Q8 , MTD55N10Q8 , MTDA0N10J3 , MTDA0N10L3 .

History: MTC4503Q8 | IRFR214 | KMA7D0NP30Q | MTDA0P10FP | MTBA5C10AQ8 | IRFR310A | MTB12N04J3

 

 
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