Справочник MOSFET. MTC8958Q8

 

MTC8958Q8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTC8958Q8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7(6) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10(12) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70(64) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018(0.041) Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для MTC8958Q8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTC8958Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:450K  cystek
 mtc8958q8.pdf pdf_icon

MTC8958Q8

Spec. No. : C839Q8 Issued Date : 2013.05.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.03.27 Page No. : 1/12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTC8958Q8 BVDSS 30V -30VID 7A -6ARDSON(MAX.) 25m 55m Description The MTC8958Q8 consists of a N-channel and a P-channel enhancement-mode MOSFET in a single SOP-8 package, providing the designer

 7.1. Size:427K  cystek
 mtc8958g6.pdf pdf_icon

MTC8958Q8

Spec. No. : C839G6 Issued Date : 2012.04.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.05.30 Page No. : 1/13 N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N-CH P-CHMTC8958G6 BVDSS 30V -30VID 6A(VGS=10V) -4.5A(VGS=-10 V) 18m(VGS=10V) 41m(VGS=-10V) RDSON(TYP.) 26m(VGS=4.5V) 60m(VGS=-4.5V)Features Simple drive requirement Low gate charge Low

Другие MOSFET... MTC4503Q8G , MTC4505Q8 , MTC4506J4 , MTC4506Q8 , MTC5806Q8 , MTC8402S6R , MTC8404V8 , MTC8958G6 , AON7408 , MTD06N04Q8 , MTD120C10KJ4 , MTD120C10KQ8 , MTD140P15J3 , MTD30N10Q8 , MTD55N10Q8 , MTDA0N10J3 , MTDA0N10L3 .

History: MTDE5P10N3 | SSF5N50D | SSF60R280SFD | BUK455-60A | SIA517DJ | MTE50N15FP | MTE040N20P3

 

 
Back to Top

 


 
.