Справочник MOSFET. MTC8958Q8

 

MTC8958Q8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTC8958Q8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7(6) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10(12) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70(64) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018(0.041) Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для MTC8958Q8

 

 

MTC8958Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:450K  cystek
 mtc8958q8.pdf

MTC8958Q8 MTC8958Q8

Spec. No. : C839Q8 Issued Date : 2013.05.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.03.27 Page No. : 1/12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTC8958Q8 BVDSS 30V -30VID 7A -6ARDSON(MAX.) 25m 55m Description The MTC8958Q8 consists of a N-channel and a P-channel enhancement-mode MOSFET in a single SOP-8 package, providing the designer

 7.1. Size:427K  cystek
 mtc8958g6.pdf

MTC8958Q8 MTC8958Q8

Spec. No. : C839G6 Issued Date : 2012.04.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.05.30 Page No. : 1/13 N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N-CH P-CHMTC8958G6 BVDSS 30V -30VID 6A(VGS=10V) -4.5A(VGS=-10 V) 18m(VGS=10V) 41m(VGS=-10V) RDSON(TYP.) 26m(VGS=4.5V) 60m(VGS=-4.5V)Features Simple drive requirement Low gate charge Low

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top