MTC8958Q8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTC8958Q8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7(6) A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 8.6 nC
Время нарастания (tr): 10(12) ns
Выходная емкость (Cd): 70(64) pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.018(0.041) Ohm
Тип корпуса: SOP-8
MTC8958Q8 Datasheet (PDF)
mtc8958q8.pdf
Spec. No. : C839Q8 Issued Date : 2013.05.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.03.27 Page No. : 1/12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTC8958Q8 BVDSS 30V -30VID 7A -6ARDSON(MAX.) 25m 55m Description The MTC8958Q8 consists of a N-channel and a P-channel enhancement-mode MOSFET in a single SOP-8 package, providing the designer
mtc8958g6.pdf
Spec. No. : C839G6 Issued Date : 2012.04.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.05.30 Page No. : 1/13 N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N-CH P-CHMTC8958G6 BVDSS 30V -30VID 6A(VGS=10V) -4.5A(VGS=-10 V) 18m(VGS=10V) 41m(VGS=-10V) RDSON(TYP.) 26m(VGS=4.5V) 60m(VGS=-4.5V)Features Simple drive requirement Low gate charge Low
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
