FSF9250R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FSF9250R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.29 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO254AA
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FSF9250R Datasheet (PDF)
3.1. fsf9250.pdf 
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FSF9250D, FSF9250R 15A, -200V, 0.290 Ohm, Rad Hard, June 1998 SEGR Resistant, P-Channel Power MOSFETs Features Description • 15A, -200V, rDS(ON) = 0.290Ω The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- • Total Dose ically designed for commercial and military space applica- - Meets Pre-RAD Specifications to 100K
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