FSF9250R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FSF9250R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm
Тип корпуса: TO254AA
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
FSF9250R Datasheet (PDF)
fsf9250.pdf

FSF9250D,FSF9250R15A, -200V, 0.290 Ohm, Rad Hard,June 1998 SEGR Resistant, P-Channel Power MOSFETsFeatures Description 15A, -200V, rDS(ON) = 0.290 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K
Другие MOSFET... FSF250R , FSF254D , FSF254R , FSF450D , FSF450R , FSF9150D , FSF9150R , FSF9250D , 20N60 , FSJ055D , FSJ055R , FSJ160D , FSJ160R , FSJ260D , FSJ260R , FSJ264D , FSJ264R .
History: SSF2301B | CM20N50P | JCS2N60MB | P0908ATF | 2SK4108 | 2SK2424 | AP9997GP-HF
History: SSF2301B | CM20N50P | JCS2N60MB | P0908ATF | 2SK4108 | 2SK2424 | AP9997GP-HF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
d882 | irf740 datasheet | ksa992 | irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet