FSF9250R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FSF9250R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm
Тип корпуса: TO254AA
Аналог (замена) для FSF9250R
FSF9250R Datasheet (PDF)
fsf9250.pdf

FSF9250D,FSF9250R15A, -200V, 0.290 Ohm, Rad Hard,June 1998 SEGR Resistant, P-Channel Power MOSFETsFeatures Description 15A, -200V, rDS(ON) = 0.290 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K
Другие MOSFET... FSF250R , FSF254D , FSF254R , FSF450D , FSF450R , FSF9150D , FSF9150R , FSF9250D , 20N60 , FSJ055D , FSJ055R , FSJ160D , FSJ160R , FSJ260D , FSJ260R , FSJ264D , FSJ264R .
History: P2804BDG | QS5U21 | QS5U23 | 2N4092 | IRF610PBF | NCE65N330 | IRF5Y3315CM
History: P2804BDG | QS5U21 | QS5U23 | 2N4092 | IRF610PBF | NCE65N330 | IRF5Y3315CM



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
d882 | irf740 datasheet | ksa992 | irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet