MTDA0N10J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTDA0N10J3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MTDA0N10J3 MOSFET
MTDA0N10J3 Datasheet (PDF)
mtda0n10j3.pdf

Spec. No. : C870J3 Issued Date : 2012.07.26 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTDA0N10J3 ID 16A80m VGS=10V, ID=12A RDSON(TYP) 96m VGS=5V, ID=10A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit O
mtda0n10l3.pdf

Spec. No. : C870L3 Issued Date : 2014.04.08 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTDA0N10L3ID 3.9ARDSON@VGS=10V, ID=3A 77m(typ) RDSON@VGS=5V, ID=2A 87m(typ) Description The MTDA0N10L3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, rugge
mtda0p10fp.pdf

Spec. No. : C733FP Issued Date : 2011.03.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -100VMTDA0P10FP ID -22A120m Features RDSON(MAX) Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline TO-220FP MTDA0P10FP GGate DDrain S
Otros transistores... MTC8958G6 , MTC8958Q8 , MTD06N04Q8 , MTD120C10KJ4 , MTD120C10KQ8 , MTD140P15J3 , MTD30N10Q8 , MTD55N10Q8 , IRF1010E , MTDA0N10L3 , MTDA0P10FP , MTDA4N20J3 , MTDE5P10N3 , MTDK1S6R , MTDK3S6R , MTDK5S6R , MTDN1034C6 .



Liste
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