MTDK1S6R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTDK1S6R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9.3 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-363R
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MTDK1S6R Datasheet (PDF)
mtdk1s6r.pdf
Spec. No. : C320S6R-A Issued Date : 2007.12.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2011.03.04 Page No. : 1/ 7 N-CHANNEL MOSFET (dual transistors) MTDK1S6R Features Low on-resistance High ESD capability High speed switching Low-voltage drive(2.5V) Easily designed drive circuits Easy to use in parallel Pb-free package Equivalent Circui
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