MTDK1S6R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTDK1S6R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9.3 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm

Encapsulados: SOT-363R

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MTDK1S6R datasheet

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MTDK1S6R

Spec. No. C320S6R-A Issued Date 2007.12.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.03.04 Page No. 1/ 7 N-CHANNEL MOSFET (dual transistors) MTDK1S6R Features Low on-resistance High ESD capability High speed switching Low-voltage drive(2.5V) Easily designed drive circuits Easy to use in parallel Pb-free package Equivalent Circui

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