Справочник MOSFET. MTDK1S6R

 

MTDK1S6R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTDK1S6R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363R
 

 Аналог (замена) для MTDK1S6R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTDK1S6R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:262K  cystek
 mtdk1s6r.pdf pdf_icon

MTDK1S6R

Spec. No. : C320S6R-A Issued Date : 2007.12.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2011.03.04 Page No. : 1/ 7 N-CHANNEL MOSFET (dual transistors) MTDK1S6R Features Low on-resistance High ESD capability High speed switching Low-voltage drive(2.5V) Easily designed drive circuits Easy to use in parallel Pb-free package Equivalent Circui

Другие MOSFET... MTD140P15J3 , MTD30N10Q8 , MTD55N10Q8 , MTDA0N10J3 , MTDA0N10L3 , MTDA0P10FP , MTDA4N20J3 , MTDE5P10N3 , 8205A , MTDK3S6R , MTDK5S6R , MTDN1034C6 , MTDN138ZS6R , MTDN3018S6R , MTDN3154C6 , MTDN4228Q8 , MTDN5820Z6 .

History: AO4607 | IRLML6402G | IXTP12N70X2 | SIZ904DT | NCEP01T15 | FDD8444L-F085 | EMF90P02A

 

 
Back to Top

 


 
.