MTDK1S6R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MTDK1S6R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 9.3 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
Тип корпуса: SOT-363R
Аналог (замена) для MTDK1S6R
MTDK1S6R Datasheet (PDF)
mtdk1s6r.pdf
Spec. No. : C320S6R-A Issued Date : 2007.12.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2011.03.04 Page No. : 1/ 7 N-CHANNEL MOSFET (dual transistors) MTDK1S6R Features Low on-resistance High ESD capability High speed switching Low-voltage drive(2.5V) Easily designed drive circuits Easy to use in parallel Pb-free package Equivalent Circui
Другие MOSFET... MTD140P15J3 , MTD30N10Q8 , MTD55N10Q8 , MTDA0N10J3 , MTDA0N10L3 , MTDA0P10FP , MTDA4N20J3 , MTDE5P10N3 , IRFP260 , MTDK3S6R , MTDK5S6R , MTDN1034C6 , MTDN138ZS6R , MTDN3018S6R , MTDN3154C6 , MTDN4228Q8 , MTDN5820Z6 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06 | bc108b | oc84 | c6090 | ksa1015yta | 2n4240


