MTDK1S6R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTDK1S6R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 9.3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: SOT-363R

Аналог (замена) для MTDK1S6R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTDK1S6R даташит

 ..1. Size:262K  cystek
 mtdk1s6r.pdf pdf_icon

MTDK1S6R

Spec. No. C320S6R-A Issued Date 2007.12.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.03.04 Page No. 1/ 7 N-CHANNEL MOSFET (dual transistors) MTDK1S6R Features Low on-resistance High ESD capability High speed switching Low-voltage drive(2.5V) Easily designed drive circuits Easy to use in parallel Pb-free package Equivalent Circui

Другие IGBT... MTD140P15J3, MTD30N10Q8, MTD55N10Q8, MTDA0N10J3, MTDA0N10L3, MTDA0P10FP, MTDA4N20J3, MTDE5P10N3, IRFP260, MTDK3S6R, MTDK5S6R, MTDN1034C6, MTDN138ZS6R, MTDN3018S6R, MTDN3154C6, MTDN4228Q8, MTDN5820Z6