MTDN3154C6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTDN3154C6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.54 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: SOT-563

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MTDN3154C6 datasheet

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MTDN3154C6

Spec. No. C915C6 Issued Date 2014.05.12 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/ 8 N-CHANNEL MOSFET (dual transistors) MTDN3154C6 BVDSS 20V ID 0.54A 0.30 VGS=4.5V, ID=540mA 0.55 RDSON(TYP) VGS=2.5V, ID=500mA Features 1.50 VGS=1.8V, ID=350mA High speed switching Low-voltage drive Easily designed drive circuits Easy to use

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MTDN3154C6

Spec. No. C320S6R Issued Date 2007.12.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.03.04 Page No. 1/ 7 N-CHANNEL MOSFET (dual transistors) MTDN3018S6R Features Low on-resistance High ESD capability High speed switching Low-voltage drive(4V) Easily designed drive circuits Easy to use in parallel Pb-free package Equivalent Circuit

Otros transistores... MTDA4N20J3, MTDE5P10N3, MTDK1S6R, MTDK3S6R, MTDK5S6R, MTDN1034C6, MTDN138ZS6R, MTDN3018S6R, AON7410, MTDN4228Q8, MTDN5820Z6, MTDN6303S6R, MTDN7002ZHS6R, MTDN8233CDV8, MTDN8233X6, MTDN8810AT8, MTDN8810T8