MTDN3154C6 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MTDN3154C6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.54 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: SOT-563
Аналог (замена) для MTDN3154C6
MTDN3154C6 Datasheet (PDF)
mtdn3154c6.pdf

Spec. No. : C915C6 Issued Date : 2014.05.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 N-CHANNEL MOSFET (dual transistors) MTDN3154C6 BVDSS 20VID 0.54A0.30 VGS=4.5V, ID=540mA 0.55 RDSON(TYP) VGS=2.5V, ID=500mA Features 1.50 VGS=1.8V, ID=350mA High speed switching Low-voltage drive Easily designed drive circuits Easy to use
mtdn3018s6r.pdf

Spec. No. : C320S6R Issued Date : 2007.12.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2011.03.04 Page No. : 1/ 7 N-CHANNEL MOSFET (dual transistors) MTDN3018S6R Features Low on-resistance High ESD capability High speed switching Low-voltage drive(4V) Easily designed drive circuits Easy to use in parallel Pb-free package Equivalent Circuit
Другие MOSFET... MTDA4N20J3 , MTDE5P10N3 , MTDK1S6R , MTDK3S6R , MTDK5S6R , MTDN1034C6 , MTDN138ZS6R , MTDN3018S6R , RFP50N06 , MTDN4228Q8 , MTDN5820Z6 , MTDN6303S6R , MTDN7002ZHS6R , MTDN8233CDV8 , MTDN8233X6 , MTDN8810AT8 , MTDN8810T8 .
History: UTM2054 | SW4N60D



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet