MTDP9620T8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTDP9620T8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 264 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: TSSOP-8

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MTDP9620T8 datasheet

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MTDP9620T8

Spec. No. C573Q8 Issued Date 2012.03.02 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.04.28 Page No. 1/8 Dual P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -20V MTDP9620T8 ID -6.3A RDSON@VGS=-4.5V, ID=-4.8A 20m (typ) RDSON@VGS=-2.5V,ID=-4.2A 26m (typ) RDSON@VGS=-1.8V,ID=-3.5A 34m (typ) Features 1.8V drive available Low on-resistance Fast switching s

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MTDP9620T8

Spec. No. C573Q8 Issued Date 2015.02.02 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTDP9620Q8 BVDSS -20V ID@VGS=-4.5V, TA=25 C -5.2A -8.8A ID@VGS=-4.5V, TC=25 C Features RDSON@VGS=-4.5V, ID=-6.5A 16.4m (typ) Simple drive requirement RDSON@VGS=-2.5V, ID=-4.2A 19.8m (typ) Low on-resistance RDSON

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MTDP9620T8

Spec. No. C589Q8 Issued Date 2015.02.24 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTDP9933KQ8 BVDSS -20V ID@VGS=-4.5V, TA=25 C -4.5A -7.5A ID@VGS=-4.5V, TC=25 C Features RDSON@VGS=-4.5V, ID=-4A 28 m (typ) Simple drive requirement RDSON@VGS=-2.5V, ID=-4A 36 m (typ) Low on-resistance RDSON@VG

Otros transistores... MTDN9926Q8, MTDN9946Q8, MTDN9971Q8, MTDN9973Q8, MTDNK2N6, MTDP2004S6R, MTDP4953BDYQ8, MTDP4953Q8, 2SK3568, MTE010N10E3, MTE010N10FP, MTE040N20P3, MTE05N08E3, MTE05N10E3, MTE130N20FP, MTE130N20KE3, MTE130N20KF3