MTDP9620T8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTDP9620T8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 264 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTDP9620T8

MTDP9620T8 Datasheet (PDF)

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mtdp9620t8.pdf

Spec. No. : C573Q8 Issued Date : 2012.03.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.04.28 Page No. : 1/8 Dual P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -20VMTDP9620T8 ID -6.3ARDSON@VGS=-4.5V, ID=-4.8A 20m(typ)RDSON@VGS=-2.5V,ID=-4.2A 26m(typ)RDSON@VGS=-1.8V,ID=-3.5A 34m(typ)Features 1.8V drive available Low on-resistance Fast switching s

6.1. Size:371K cystek
mtdp9620q8.pdf

Spec. No. : C573Q8 Issued Date : 2015.02.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTDP9620Q8 BVDSS -20V ID@VGS=-4.5V, TA=25C -5.2A -8.8A ID@VGS=-4.5V, TC=25C Features RDSON@VGS=-4.5V, ID=-6.5A 16.4m(typ) Simple drive requirement RDSON@VGS=-2.5V, ID=-4.2A 19.8m(typ) Low on-resistance RDSON

9.1. Size:372K cystek
mtdp9933kq8.pdf

Spec. No. : C589Q8 Issued Date : 2015.02.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTDP9933KQ8 BVDSS -20V ID@VGS=-4.5V, TA=25C -4.5A -7.5A ID@VGS=-4.5V, TC=25C Features RDSON@VGS=-4.5V, ID=-4A 28 m(typ) Simple drive requirement RDSON@VGS=-2.5V, ID=-4A 36 m(typ) Low on-resistance RDSON@VG

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: