MTE010N10E3 Todos los transistores

 

MTE010N10E3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTE010N10E3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0096 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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MTE010N10E3 Datasheet (PDF)

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MTE010N10E3

Spec. No. : C944E3 Issued Date : 2013.11.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTE010N10E3 ID 70A9.6m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=50A RDSON(TYP) @ VGS=7V, ID=20A 10.1m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic

 5.1. Size:296K  cystek
 mte010n10fp.pdf pdf_icon

MTE010N10E3

Spec. No. : C944FP Issued Date : 2014.01.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 100VMTE010N10FP ID @ VGS=10V 35A9.9m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=20A RDSON(TYP) @ VGS=7V, ID=20A 10.5m Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic

Otros transistores... MTDN9946Q8 , MTDN9971Q8 , MTDN9973Q8 , MTDNK2N6 , MTDP2004S6R , MTDP4953BDYQ8 , MTDP4953Q8 , MTDP9620T8 , STP80NF70 , MTE010N10FP , MTE040N20P3 , MTE05N08E3 , MTE05N10E3 , MTE130N20FP , MTE130N20KE3 , MTE130N20KF3 , MTE130N20KFP .

History: BUZ12A | IPP45P03P4L-11

 

 
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