MTE010N10E3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTE010N10E3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0096 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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MTE010N10E3 datasheet

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MTE010N10E3

Spec. No. C944E3 Issued Date 2013.11.12 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTE010N10E3 ID 70A 9.6m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=50A RDSON(TYP) @ VGS=7V, ID=20A 10.1m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic

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MTE010N10E3

Spec. No. C944FP Issued Date 2014.01.14 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTE010N10FP ID @ VGS=10V 35A 9.9m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=20A RDSON(TYP) @ VGS=7V, ID=20A 10.5m Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic

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MTE010N10E3

30V, 190A, 1.9m N-channel Power Trench MOSFET JMTE018N03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 30 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 190 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.9 mW Applications Load Switch PWM Application Power M

Otros transistores... MTDN9946Q8, MTDN9971Q8, MTDN9973Q8, MTDNK2N6, MTDP2004S6R, MTDP4953BDYQ8, MTDP4953Q8, MTDP9620T8, 10N65, MTE010N10FP, MTE040N20P3, MTE05N08E3, MTE05N10E3, MTE130N20FP, MTE130N20KE3, MTE130N20KF3, MTE130N20KFP