MTE010N10E3 Todos los transistores

 

MTE010N10E3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTE010N10E3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0096 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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MTE010N10E3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:278K  cystek
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MTE010N10E3

Spec. No. : C944E3 Issued Date : 2013.11.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTE010N10E3 ID 70A9.6m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=50A RDSON(TYP) @ VGS=7V, ID=20A 10.1m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic

 5.1. Size:296K  cystek
 mte010n10fp.pdf pdf_icon

MTE010N10E3

Spec. No. : C944FP Issued Date : 2014.01.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 100VMTE010N10FP ID @ VGS=10V 35A9.9m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=20A RDSON(TYP) @ VGS=7V, ID=20A 10.5m Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic

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 jmte018n03a.pdf pdf_icon

MTE010N10E3

30V, 190A, 1.9m N-channel Power Trench MOSFETJMTE018N03AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TESTEDVDSS 30 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 190 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.9 mWApplications Load Switch PWM Application Power M

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History: IXFK15N100Q | SHD225409

 

 
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