Справочник MOSFET. MTE010N10E3

 

MTE010N10E3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTE010N10E3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0096 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для MTE010N10E3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTE010N10E3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:278K  cystek
 mte010n10e3.pdf pdf_icon

MTE010N10E3

Spec. No. : C944E3 Issued Date : 2013.11.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTE010N10E3 ID 70A9.6m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=50A RDSON(TYP) @ VGS=7V, ID=20A 10.1m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic

 5.1. Size:296K  cystek
 mte010n10fp.pdf pdf_icon

MTE010N10E3

Spec. No. : C944FP Issued Date : 2014.01.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 100VMTE010N10FP ID @ VGS=10V 35A9.9m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=20A RDSON(TYP) @ VGS=7V, ID=20A 10.5m Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic

Другие MOSFET... MTDN9946Q8 , MTDN9971Q8 , MTDN9973Q8 , MTDNK2N6 , MTDP2004S6R , MTDP4953BDYQ8 , MTDP4953Q8 , MTDP9620T8 , STP80NF70 , MTE010N10FP , MTE040N20P3 , MTE05N08E3 , MTE05N10E3 , MTE130N20FP , MTE130N20KE3 , MTE130N20KF3 , MTE130N20KFP .

History: APT10045B2LL | PJM2300NSA | FQA6N80 | NVTFS6H860NL | IRFS150

 

 
Back to Top

 


 
.