MTE010N10FP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTE010N10FP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 48 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0099 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FP

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTE010N10FP

MTE010N10FP Datasheet (PDF)

..1. Size:296K cystek
mte010n10fp.pdf

Spec. No. : C944FP Issued Date : 2014.01.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 100VMTE010N10FP ID @ VGS=10V 35A9.9m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=20A RDSON(TYP) @ VGS=7V, ID=20A 10.5m Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic

5.1. Size:278K cystek
mte010n10e3.pdf

Spec. No. : C944E3 Issued Date : 2013.11.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTE010N10E3 ID 70A9.6m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=50A RDSON(TYP) @ VGS=7V, ID=20A 10.1m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic

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Liste

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