MTE130N20KE3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTE130N20KE3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 22 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.143 Ohm

Encapsulados: TO-220

 Búsqueda de reemplazo de MTE130N20KE3 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MTE130N20KE3 datasheet

 ..1. Size:355K  cystek
 mte130n20ke3.pdf pdf_icon

MTE130N20KE3

Spec. No. C952E3 Issued Date 2013.12.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.03.05 Page No. 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE130N20KE3 BVDSS 200V ID 18A 143m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=9A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement ESD Diode Protected Gate Fast Switching Characteristic RoHS compliant package

 4.1. Size:394K  cystek
 mte130n20kj3.pdf pdf_icon

MTE130N20KE3

Spec. No. C952J3 Issued Date 2014.02.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.03.05 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE130N20KJ3 BVDSS 200V ID 18A 142m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=9A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement ESD Diode Protected Gate Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and

 4.2. Size:296K  cystek
 mte130n20kfp.pdf pdf_icon

MTE130N20KE3

Spec. No. C952FP Issued Date 2013.12.24 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE130N20KFP BVDSS 200V ID @ VGS=10V 17A RDS(ON)@VGS=10V, ID=9A 134 m (typ) Features ESD protected Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Insulating package, front/back side in

 4.3. Size:337K  cystek
 mte130n20kf3.pdf pdf_icon

MTE130N20KE3

Spec. No. C952F3 Issued Date 2014.06.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE130N20KF3 BVDSS 200V ID 18A 143m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=9A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement ESD Diode Protected Gate Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and RoHS compli

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... MTDP4953Q8, MTDP9620T8, MTE010N10E3, MTE010N10FP, MTE040N20P3, MTE05N08E3, MTE05N10E3, MTE130N20FP, 20N50, MTE130N20KF3, MTE130N20KFP, MTE130N20KJ3, MTE13N08J3, MTE1K0P15KN3, MTE1K8N25J3, MTE1K8N25KJ3, MTE1K8N25KM3