MTE130N20KF3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTE130N20KF3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 22 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.143 Ohm

Encapsulados: TO-263

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MTE130N20KF3 datasheet

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MTE130N20KF3

Spec. No. C952F3 Issued Date 2014.06.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE130N20KF3 BVDSS 200V ID 18A 143m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=9A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement ESD Diode Protected Gate Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and RoHS compli

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MTE130N20KF3

Spec. No. C952FP Issued Date 2013.12.24 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE130N20KFP BVDSS 200V ID @ VGS=10V 17A RDS(ON)@VGS=10V, ID=9A 134 m (typ) Features ESD protected Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Insulating package, front/back side in

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MTE130N20KF3

Spec. No. C952J3 Issued Date 2014.02.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.03.05 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE130N20KJ3 BVDSS 200V ID 18A 142m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=9A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement ESD Diode Protected Gate Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and

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MTE130N20KF3

Spec. No. C952E3 Issued Date 2013.12.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.03.05 Page No. 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE130N20KE3 BVDSS 200V ID 18A 143m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=9A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement ESD Diode Protected Gate Fast Switching Characteristic RoHS compliant package

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