Справочник MOSFET. MTE130N20KF3

 

MTE130N20KF3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTE130N20KF3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22 nC
   trⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.143 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для MTE130N20KF3

 

 

MTE130N20KF3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:337K  cystek
 mte130n20kf3.pdf

MTE130N20KF3 MTE130N20KF3

Spec. No. : C952F3 Issued Date : 2014.06.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE130N20KF3 BVDSS 200VID 18A143m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=9A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement ESD Diode Protected Gate Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and RoHS compli

 3.1. Size:296K  cystek
 mte130n20kfp.pdf

MTE130N20KF3 MTE130N20KF3

Spec. No. : C952FP Issued Date : 2013.12.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETMTE130N20KFP BVDSS 200VID @ VGS=10V 17ARDS(ON)@VGS=10V, ID=9A 134 m(typ) Features ESD protected Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Insulating package, front/back side in

 4.1. Size:394K  cystek
 mte130n20kj3.pdf

MTE130N20KF3 MTE130N20KF3

Spec. No. : C952J3 Issued Date : 2014.02.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.03.05 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE130N20KJ3 BVDSS 200VID 18A142m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=9A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement ESD Diode Protected Gate Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and

 4.2. Size:355K  cystek
 mte130n20ke3.pdf

MTE130N20KF3 MTE130N20KF3

Spec. No. : C952E3 Issued Date : 2013.12.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.03.05 Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE130N20KE3 BVDSS 200VID 18A143m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=9A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement ESD Diode Protected Gate Fast Switching Characteristic RoHS compliant package

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top