MTE130N20KJ3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTE130N20KJ3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 83 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.142 Ohm
Encapsulados: TO-252
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MTE130N20KJ3 datasheet
mte130n20kj3.pdf
Spec. No. C952J3 Issued Date 2014.02.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.03.05 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE130N20KJ3 BVDSS 200V ID 18A 142m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=9A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement ESD Diode Protected Gate Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and
mte130n20kfp.pdf
Spec. No. C952FP Issued Date 2013.12.24 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE130N20KFP BVDSS 200V ID @ VGS=10V 17A RDS(ON)@VGS=10V, ID=9A 134 m (typ) Features ESD protected Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Insulating package, front/back side in
mte130n20kf3.pdf
Spec. No. C952F3 Issued Date 2014.06.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE130N20KF3 BVDSS 200V ID 18A 143m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=9A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement ESD Diode Protected Gate Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and RoHS compli
mte130n20ke3.pdf
Spec. No. C952E3 Issued Date 2013.12.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.03.05 Page No. 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE130N20KE3 BVDSS 200V ID 18A 143m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=9A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement ESD Diode Protected Gate Fast Switching Characteristic RoHS compliant package
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