MTE130N20KJ3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTE130N20KJ3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 22 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 83 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.142 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MTE130N20KJ3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTE130N20KJ3 даташит

 ..1. Size:394K  cystek
 mte130n20kj3.pdf pdf_icon

MTE130N20KJ3

Spec. No. C952J3 Issued Date 2014.02.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.03.05 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE130N20KJ3 BVDSS 200V ID 18A 142m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=9A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement ESD Diode Protected Gate Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and

 4.1. Size:296K  cystek
 mte130n20kfp.pdf pdf_icon

MTE130N20KJ3

Spec. No. C952FP Issued Date 2013.12.24 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE130N20KFP BVDSS 200V ID @ VGS=10V 17A RDS(ON)@VGS=10V, ID=9A 134 m (typ) Features ESD protected Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Insulating package, front/back side in

 4.2. Size:337K  cystek
 mte130n20kf3.pdf pdf_icon

MTE130N20KJ3

Spec. No. C952F3 Issued Date 2014.06.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE130N20KF3 BVDSS 200V ID 18A 143m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=9A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement ESD Diode Protected Gate Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and RoHS compli

 4.3. Size:355K  cystek
 mte130n20ke3.pdf pdf_icon

MTE130N20KJ3

Spec. No. C952E3 Issued Date 2013.12.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.03.05 Page No. 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE130N20KE3 BVDSS 200V ID 18A 143m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=9A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement ESD Diode Protected Gate Fast Switching Characteristic RoHS compliant package

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTE010N10FP, MTE040N20P3, MTE05N08E3, MTE05N10E3, MTE130N20FP, MTE130N20KE3, MTE130N20KF3, MTE130N20KFP, STF13NM60N, MTE13N08J3, MTE1K0P15KN3, MTE1K8N25J3, MTE1K8N25KJ3, MTE1K8N25KM3, MTE20N10FP, MTE50N10FP, MTE50N15FP