MTE130N20KJ3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTE130N20KJ3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 22 nC
Время нарастания (tr): 32 ns
Выходная емкость (Cd): 83 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.142 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для MTE130N20KJ3
MTE130N20KJ3 Datasheet (PDF)
mte130n20kj3.pdf
Spec. No. : C952J3 Issued Date : 2014.02.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.03.05 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE130N20KJ3 BVDSS 200VID 18A142m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=9A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement ESD Diode Protected Gate Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and
mte130n20kfp.pdf
Spec. No. : C952FP Issued Date : 2013.12.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETMTE130N20KFP BVDSS 200VID @ VGS=10V 17ARDS(ON)@VGS=10V, ID=9A 134 m(typ) Features ESD protected Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Insulating package, front/back side in
mte130n20kf3.pdf
Spec. No. : C952F3 Issued Date : 2014.06.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE130N20KF3 BVDSS 200VID 18A143m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=9A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement ESD Diode Protected Gate Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and RoHS compli
mte130n20ke3.pdf
Spec. No. : C952E3 Issued Date : 2013.12.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.03.05 Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTE130N20KE3 BVDSS 200VID 18A143m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=9A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement ESD Diode Protected Gate Fast Switching Characteristic RoHS compliant package
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
