FSJ260D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FSJ260D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: TO254AA

 Búsqueda de reemplazo de FSJ260D MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FSJ260D datasheet

 8.1. Size:55K  intersil
 fsj260.pdf pdf_icon

FSJ260D

FSJ260D, FSJ260R 44A, 200V, 0.050 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs June 1998 Features Description 44A, 200V, rDS(ON) = 0.050 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs Total Dose specifically designed for commercial and military space - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si) appli

 9.1. Size:57K  intersil
 fsj264.pdf pdf_icon

FSJ260D

FSJ264D, FSJ264R 33A, 250V, 0.080 Ohm, Rad Hard, June 1998 SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Features Description 33A, 250V, rDS(ON) = 0.080 The Discrete Products Operation of Intersil has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specifically Total Dose designed for commercial and military space applications. - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si) Enha

Otros transistores... FSF9150D, FSF9150R, FSF9250D, FSF9250R, FSJ055D, FSJ055R, FSJ160D, FSJ160R, IRFP460, FSJ260R, FSJ264D, FSJ264R, FSJ9160D, FSJ9160R, FSJ9260D, FSJ9260R, FSL110D