FSJ260D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FSJ260D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: TO254AA
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
FSJ260D Datasheet (PDF)
fsj260.pdf

FSJ260D, FSJ260R44A, 200V, 0.050 Ohm, Rad Hard,SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETsJune 1998Features Description 44A, 200V, rDS(ON) = 0.050 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs Total Dosespecifically designed for commercial and military space- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si)appli
fsj264.pdf

FSJ264D, FSJ264R33A, 250V, 0.080 Ohm, Rad Hard,June 1998 SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETsFeatures Description 33A, 250V, rDS(ON) = 0.080 The Discrete Products Operation of Intersil has developed aseries of Radiation Hardened MOSFETs specifically Total Dosedesigned for commercial and military space applications.- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si)Enha
Другие MOSFET... FSF9150D , FSF9150R , FSF9250D , FSF9250R , FSJ055D , FSJ055R , FSJ160D , FSJ160R , IRFP460 , FSJ260R , FSJ264D , FSJ264R , FSJ9160D , FSJ9160R , FSJ9260D , FSJ9260R , FSL110D .
History: LSC65R280HT | 2SK3700 | IPB22N03S4L-15
History: LSC65R280HT | 2SK3700 | IPB22N03S4L-15



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193 | s9014 transistor