MTE50N15J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTE50N15J3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 43 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTE50N15J3

MTE50N15J3 Datasheet (PDF)

..1. Size:382K cystek
mte50n15j3.pdf

Spec. No. : C931J3 Issued Date : 2014.02.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 150VMTE50N15J3 ID 28ARDS(ON)@VGS=10V, ID=20A 39 m(typ) RDS(ON)@VGS=7V, ID=10A 39 m(typ) Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic RoHS com

6.1. Size:299K cystek
mte50n15fp.pdf

Spec. No. : C931FP Issued Date : 2013.12.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 150VMTE50N15FP ID 24ARDS(ON)@VGS=10V, ID=20A 39 m(typ) RDS(ON)@VGS=7V, ID=10A 39 m(typ) Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Insulatin

6.2. Size:333K cystek
mte50n15q8.pdf

Spec. No. : C931Q8 Issued Date : 2014.03.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.06.24 Page No. : 1/9 N-Channel LOGIC Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VMTE50N15Q8 ID @VGS=10V 7.7ARDS(ON)@VGS=10V, ID=5A 39 m(typ) RDS(ON)@VGS=8V, ID=5A 40 m(typ) Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic

7.1. Size:297K cystek
mte50n10fp.pdf

Spec. No. : C893FP Issued Date : 2013.05.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 100VMTE50N10FP ID 23ARDS(ON)@VGS=10V, ID=15A 32 m(typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=10A 35 m(typ) Description The MTE50N10FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: