MTE50N15J3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MTE50N15J3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для MTE50N15J3
MTE50N15J3 Datasheet (PDF)
mte50n15j3.pdf

Spec. No. : C931J3 Issued Date : 2014.02.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 150VMTE50N15J3 ID 28ARDS(ON)@VGS=10V, ID=20A 39 m(typ) RDS(ON)@VGS=7V, ID=10A 39 m(typ) Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic RoHS com
mte50n15fp.pdf

Spec. No. : C931FP Issued Date : 2013.12.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 150VMTE50N15FP ID 24ARDS(ON)@VGS=10V, ID=20A 39 m(typ) RDS(ON)@VGS=7V, ID=10A 39 m(typ) Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Insulatin
mte50n15q8.pdf

Spec. No. : C931Q8 Issued Date : 2014.03.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.06.24 Page No. : 1/9 N-Channel LOGIC Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VMTE50N15Q8 ID @VGS=10V 7.7ARDS(ON)@VGS=10V, ID=5A 39 m(typ) RDS(ON)@VGS=8V, ID=5A 40 m(typ) Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic
mte50n10fp.pdf

Spec. No. : C893FP Issued Date : 2013.05.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 100VMTE50N10FP ID 23ARDS(ON)@VGS=10V, ID=15A 32 m(typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=10A 35 m(typ) Description The MTE50N10FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching
Другие MOSFET... MTE13N08J3 , MTE1K0P15KN3 , MTE1K8N25J3 , MTE1K8N25KJ3 , MTE1K8N25KM3 , MTE20N10FP , MTE50N10FP , MTE50N15FP , NCEP15T14 , MTE50N15Q8 , MTE65N15FP , MTE65N15J3 , MTE65N20F3 , MTE65N20J3 , MTEA0N10J3 , MTEA0N10Q8 , MTEA2N15L3 .
History: TPC8065-H
History: TPC8065-H



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet | c535 transistor | irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor