MTE50N15J3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTE50N15J3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MTE50N15J3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTE50N15J3 даташит

 ..1. Size:382K  cystek
 mte50n15j3.pdf pdf_icon

MTE50N15J3

Spec. No. C931J3 Issued Date 2014.02.21 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTE50N15J3 ID 28A RDS(ON)@VGS=10V, ID=20A 39 m (typ) RDS(ON)@VGS=7V, ID=10A 39 m (typ) Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic RoHS com

 6.1. Size:299K  cystek
 mte50n15fp.pdf pdf_icon

MTE50N15J3

Spec. No. C931FP Issued Date 2013.12.06 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTE50N15FP ID 24A RDS(ON)@VGS=10V, ID=20A 39 m (typ) RDS(ON)@VGS=7V, ID=10A 39 m (typ) Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Insulatin

 6.2. Size:333K  cystek
 mte50n15q8.pdf pdf_icon

MTE50N15J3

Spec. No. C931Q8 Issued Date 2014.03.24 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.06.24 Page No. 1/9 N-Channel LOGIC Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTE50N15Q8 ID @VGS=10V 7.7A RDS(ON)@VGS=10V, ID=5A 39 m (typ) RDS(ON)@VGS=8V, ID=5A 40 m (typ) Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic

 7.1. Size:297K  cystek
 mte50n10fp.pdf pdf_icon

MTE50N15J3

Spec. No. C893FP Issued Date 2013.05.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTE50N10FP ID 23A RDS(ON)@VGS=10V, ID=15A 32 m (typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=10A 35 m (typ) Description The MTE50N10FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTE13N08J3, MTE1K0P15KN3, MTE1K8N25J3, MTE1K8N25KJ3, MTE1K8N25KM3, MTE20N10FP, MTE50N10FP, MTE50N15FP, IRF1405, MTE50N15Q8, MTE65N15FP, MTE65N15J3, MTE65N20F3, MTE65N20J3, MTEA0N10J3, MTEA0N10Q8, MTEA2N15L3