MTE65N15J3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTE65N15J3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 117 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
Encapsulados: TO-252
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MTE65N15J3 datasheet
mte65n15j3.pdf
Spec. No. C873J3 Issued Date 2012.12.18 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.30 Page No. 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTE65N15J3 ID 20A RDS(ON)@VGS=10V, ID=15A 55 m (typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=10A 61m (typ) Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic
mte65n15fp.pdf
Spec. No. C873FP Issued Date 2012.11.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.05.24 Page No. 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTE65N15FP ID 15A RDS(ON)@VGS=10V, ID=15A 55 m (typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=10A 61m (typ) Description The MTE65N15FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fas
mte65n20h8.pdf
Spec. No. C872H8 Issued Date 2016.02.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2016.07.12 Page No. 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200V MTE65N20H8 ID @VGS=10V, TC=25 C 24A RDSON(TYP) VGS=10V, ID=11A 61m Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Repetitive Avalanche Rated Pb-fre
mte65n20j3.pdf
Spec. No. C872J3 Issued Date 2012.10.25 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.30 Page No. 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200V MTE65N20J3 ID 25A 61m VGS=10V, ID=11A RDSON(TYP) 66m VGS=6V, ID=5A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit Ou
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History: UTT25P10L-TQ2-T | ME2306AN-G | DH116N08
🌐 : EN ES РУ
Liste
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