MTEA6C15Q8 Todos los transistores

 

MTEA6C15Q8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTEA6C15Q8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5(2) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5(9) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 44(62) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.169(0.28) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

MTEA6C15Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:356K  cystek
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MTEA6C15Q8

Spec. No. : C938Q8 Issued Date : 2013.09.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/12 N- AND P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTEA6C15Q8 BVDSS 150V -150VID 2.5A -2ARDSON(MAX.) 230m 365m Description The MTEA6C15Q8 consists of a N-channel and a P-channel enhancement-mode MOSFET in a single SOP-8 package, providing the designer with the best c

 6.1. Size:355K  cystek
 mtea6c15j4.pdf pdf_icon

MTEA6C15Q8

Spec. No. : C938J4 Issued Date : 2013.12.04 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/13 N & P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET N-CH P-CHMTEA6C15J4 BVDSS 150V -150VID @VGS=10V(-10V) 9.3A -7.1A163m 283m RDSON(TYP)@VGS=10V(-10V) Features 177m 308 RDSON(TYP)@VGS=6V(-6V) Low gate charge Simple drive requirement ESD pr

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IRFS7530 | MTEA2N15L3 | SSF60R280SFD | SUM90P10-19 | BF1118 | MTD30N10Q8 | HY3403P

 

 
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