MTEA6C15Q8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTEA6C15Q8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5(2) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5(9) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 44(62) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.169(0.28) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

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MTEA6C15Q8 Datasheet (PDF)

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mtea6c15q8.pdf

Spec. No. : C938Q8 Issued Date : 2013.09.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/12 N- AND P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTEA6C15Q8 BVDSS 150V -150VID 2.5A -2ARDSON(MAX.) 230m 365m Description The MTEA6C15Q8 consists of a N-channel and a P-channel enhancement-mode MOSFET in a single SOP-8 package, providing the designer with the best c

6.1. Size:355K cystek
mtea6c15j4.pdf

Spec. No. : C938J4 Issued Date : 2013.12.04 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/13 N & P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET N-CH P-CHMTEA6C15J4 BVDSS 150V -150VID @VGS=10V(-10V) 9.3A -7.1A163m 283m RDSON(TYP)@VGS=10V(-10V) Features 177m 308 RDSON(TYP)@VGS=6V(-6V) Low gate charge Simple drive requirement ESD pr

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: