MTED6N25J3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTED6N25J3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 44 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.435 Ohm

Encapsulados: TO-252

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MTED6N25J3 datasheet

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MTED6N25J3

Spec. No. C894J3 Issued Date 2013.03.11 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.30 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 250V MTED6N25J3 ID 8A 435m VGS=10V, ID=5A RDSON(TYP) 410m VGS=6V, ID=3A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit Out

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MTED6N25J3

Spec. No. C936J3 Issued Date 2013.12.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 lN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 250V MTED6N25KJ3 ID @ VGS=10V 8A 422m VGS=10V, ID=5A RDSON(TYP) 399m VGS=6V, ID=3A Features ESD protected Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Simple Drive Requirement Pb-free lead

Otros transistores... MTEA0N10J3, MTEA0N10Q8, MTEA2N15L3, MTEA2N15Q8, MTEA6C15J4, MTEA6C15Q8, MTEB4N15J3, MTEB6N20J3, AO4407A, MTED6N25KJ3, MTEE2N20FP, MTEE2N20J3, MTEF1P15L3, MTEF1P15N6, MTEF1P15Q8, MTEF1P15V8, MTEH0N25J3