MTED6N25J3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTED6N25J3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.435 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MTED6N25J3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTED6N25J3 даташит

 ..1. Size:310K  cystek
 mted6n25j3.pdf pdf_icon

MTED6N25J3

Spec. No. C894J3 Issued Date 2013.03.11 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.30 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 250V MTED6N25J3 ID 8A 435m VGS=10V, ID=5A RDSON(TYP) 410m VGS=6V, ID=3A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit Out

 6.1. Size:301K  cystek
 mted6n25kj3.pdf pdf_icon

MTED6N25J3

Spec. No. C936J3 Issued Date 2013.12.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 lN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 250V MTED6N25KJ3 ID @ VGS=10V 8A 422m VGS=10V, ID=5A RDSON(TYP) 399m VGS=6V, ID=3A Features ESD protected Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Simple Drive Requirement Pb-free lead

Другие IGBT... MTEA0N10J3, MTEA0N10Q8, MTEA2N15L3, MTEA2N15Q8, MTEA6C15J4, MTEA6C15Q8, MTEB4N15J3, MTEB6N20J3, AO4407A, MTED6N25KJ3, MTEE2N20FP, MTEE2N20J3, MTEF1P15L3, MTEF1P15N6, MTEF1P15Q8, MTEF1P15V8, MTEH0N25J3