Справочник MOSFET. MTED6N25J3

 

MTED6N25J3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTED6N25J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.435 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MTED6N25J3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTED6N25J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:310K  cystek
 mted6n25j3.pdf pdf_icon

MTED6N25J3

Spec. No. : C894J3 Issued Date : 2013.03.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 250VMTED6N25J3 ID 8A435m VGS=10V, ID=5A RDSON(TYP) 410m VGS=6V, ID=3A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circuit Out

 6.1. Size:301K  cystek
 mted6n25kj3.pdf pdf_icon

MTED6N25J3

Spec. No. : C936J3 Issued Date : 2013.12.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 lN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 250VMTED6N25KJ3 ID @ VGS=10V 8A422m VGS=10V, ID=5A RDSON(TYP) 399m VGS=6V, ID=3A Features ESD protected Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Simple Drive Requirement Pb-free lead

Другие MOSFET... MTEA0N10J3 , MTEA0N10Q8 , MTEA2N15L3 , MTEA2N15Q8 , MTEA6C15J4 , MTEA6C15Q8 , MTEB4N15J3 , MTEB6N20J3 , AO3407 , MTED6N25KJ3 , MTEE2N20FP , MTEE2N20J3 , MTEF1P15L3 , MTEF1P15N6 , MTEF1P15Q8 , MTEF1P15V8 , MTEH0N25J3 .

History: TTG160N03AT | BUK6D43-60E | TTX2305A | IXTN600N04T2 | PK5C1BA | ZXMN6A25DN8

 

 
Back to Top

 


 
.