FSJ264D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FSJ264D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm

Encapsulados: TO254AA

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FSJ264D datasheet

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FSJ264D

FSJ264D, FSJ264R 33A, 250V, 0.080 Ohm, Rad Hard, June 1998 SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Features Description 33A, 250V, rDS(ON) = 0.080 The Discrete Products Operation of Intersil has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specifically Total Dose designed for commercial and military space applications. - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si) Enha

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FSJ264D

FSJ260D, FSJ260R 44A, 200V, 0.050 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs June 1998 Features Description 44A, 200V, rDS(ON) = 0.050 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs Total Dose specifically designed for commercial and military space - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si) appli

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