FSJ264D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FSJ264D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: TO254AA

Аналог (замена) для FSJ264D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FSJ264D даташит

 8.1. Size:57K  intersil
 fsj264.pdf pdf_icon

FSJ264D

FSJ264D, FSJ264R 33A, 250V, 0.080 Ohm, Rad Hard, June 1998 SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs Features Description 33A, 250V, rDS(ON) = 0.080 The Discrete Products Operation of Intersil has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specifically Total Dose designed for commercial and military space applications. - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si) Enha

 9.1. Size:55K  intersil
 fsj260.pdf pdf_icon

FSJ264D

FSJ260D, FSJ260R 44A, 200V, 0.050 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs June 1998 Features Description 44A, 200V, rDS(ON) = 0.050 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs Total Dose specifically designed for commercial and military space - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si) appli

Другие IGBT... FSF9250D, FSF9250R, FSJ055D, FSJ055R, FSJ160D, FSJ160R, FSJ260D, FSJ260R, IRF640, FSJ264R, FSJ9160D, FSJ9160R, FSJ9260D, FSJ9260R, FSL110D, FSL110R, FSL130D