MTEJ0P20J3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTEJ0P20J3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm

Encapsulados: TO-252

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MTEJ0P20J3 datasheet

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MTEJ0P20J3

Spec. No. C897J3 Issued Date 2013.03.18 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.30 Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -200V MTEJ0P20J3 ID -4A 1.1 @ VGS=-10V, ID=-3A RDSON(Typ) 1.1 @ VGS=-6V, ID=-2A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circui

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MTEJ0P20J3

Spec. No. C897L3 Issued Date 2013.03.21 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTEJ0P20L3 BVDSS -200V ID -1.2A 0.95 (typ) RDSON@VGS=-10V, ID=-1A 1.0 (typ) RDSON@VGS=-6V, ID=-0.5A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & halogen-free package Equi

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