MTEJ0P20J3 Todos los transistores

 

MTEJ0P20J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTEJ0P20J3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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MTEJ0P20J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:301K  cystek
 mtej0p20j3.pdf pdf_icon

MTEJ0P20J3

Spec. No. : C897J3 Issued Date : 2013.03.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -200VMTEJ0P20J3 ID -4A1.1 @ VGS=-10V, ID=-3A RDSON(Typ) 1.1@ VGS=-6V, ID=-2A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circui

 6.1. Size:333K  cystek
 mtej0p20l3.pdf pdf_icon

MTEJ0P20J3

Spec. No. : C897L3 Issued Date : 2013.03.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTEJ0P20L3 BVDSS -200VID -1.2A0.95 (typ) RDSON@VGS=-10V, ID=-1A 1.0 (typ) RDSON@VGS=-6V, ID=-0.5A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & halogen-free package Equi

Otros transistores... MTED6N25KJ3 , MTEE2N20FP , MTEE2N20J3 , MTEF1P15L3 , MTEF1P15N6 , MTEF1P15Q8 , MTEF1P15V8 , MTEH0N25J3 , 20N60 , MTEJ0P20L3 , MTF50P02J3 , MTN003N02Y3 , MTN003N03S3 , MTN0401LA3 , MTN0410L3 , MTN04N03F3 , MTN1012C3 .

History: 2SK3727-01 | 2SK3812-ZP | IXFX44N80P

 

 
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