MTEJ0P20J3 Todos los transistores

 

MTEJ0P20J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTEJ0P20J3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

MTEJ0P20J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:301K  cystek
 mtej0p20j3.pdf pdf_icon

MTEJ0P20J3

Spec. No. : C897J3 Issued Date : 2013.03.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -200VMTEJ0P20J3 ID -4A1.1 @ VGS=-10V, ID=-3A RDSON(Typ) 1.1@ VGS=-6V, ID=-2A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circui

 6.1. Size:333K  cystek
 mtej0p20l3.pdf pdf_icon

MTEJ0P20J3

Spec. No. : C897L3 Issued Date : 2013.03.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTEJ0P20L3 BVDSS -200VID -1.2A0.95 (typ) RDSON@VGS=-10V, ID=-1A 1.0 (typ) RDSON@VGS=-6V, ID=-0.5A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & halogen-free package Equi

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: MTN20NF06J3 | TA75333 | FSJ9260D | SML120B8 | FDS8333C | STP45NE06FP | RTL035N03FRA

 

 
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