Справочник MOSFET. MTEJ0P20J3

 

MTEJ0P20J3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTEJ0P20J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MTEJ0P20J3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTEJ0P20J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:301K  cystek
 mtej0p20j3.pdf pdf_icon

MTEJ0P20J3

Spec. No. : C897J3 Issued Date : 2013.03.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -200VMTEJ0P20J3 ID -4A1.1 @ VGS=-10V, ID=-3A RDSON(Typ) 1.1@ VGS=-6V, ID=-2A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circui

 6.1. Size:333K  cystek
 mtej0p20l3.pdf pdf_icon

MTEJ0P20J3

Spec. No. : C897L3 Issued Date : 2013.03.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTEJ0P20L3 BVDSS -200VID -1.2A0.95 (typ) RDSON@VGS=-10V, ID=-1A 1.0 (typ) RDSON@VGS=-6V, ID=-0.5A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & halogen-free package Equi

Другие MOSFET... MTED6N25KJ3 , MTEE2N20FP , MTEE2N20J3 , MTEF1P15L3 , MTEF1P15N6 , MTEF1P15Q8 , MTEF1P15V8 , MTEH0N25J3 , 20N60 , MTEJ0P20L3 , MTF50P02J3 , MTN003N02Y3 , MTN003N03S3 , MTN0401LA3 , MTN0410L3 , MTN04N03F3 , MTN1012C3 .

History: 2SK3214 | 2SK3812-ZP | IXFX44N80P

 

 
Back to Top

 


 
.